1N827AUR-1E3/TR
1N827AUR-1E3/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 1N827AUR-1E3/TR
- 商品编号
- C3728742
- 商品封装
- DO-213AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 稳压二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 稳压值(标称值) | 6.2V | |
| 反向电流(Ir) | 2uA@3V | |
| 稳压值(范围值) | 5.89V~6.51V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阻抗(Zzt) | 10Ω | |
| 阻抗(Zzk) | - | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ | |
| 精度 | - |
商品概述
1N821UR-1至1N829AUR-1系列表面贴装温度补偿基准二极管提供6.2V和6.55V标称电压,在齐纳测试电流为7.5mA时,温度系数可低至0.0005%/°C。这些玻璃表面贴装DO-213AA(MELF)基准二极管可选符合RoHS标准,适用于商业应用。该系列也提供其他齐纳基准二极管产品,电压范围最高可达200V。
商品特性
- 与JEDEC注册的1N821 - 1N829系列表面贴装等效。
- 提供10欧姆和15欧姆的齐纳阻抗值。
- 提供6.2V和6.55V ±5%的基准电压选择,在较低电压的商业级上提供更严格的容差选项(不包括1N826和1N828)。
- 温度补偿。
- 内部冶金键合。
- 双插塞结构。
- 提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)。
应用领域
- 用于仪器仪表和其他需要稳定电压基准的电路设计。
- 提供从0.01%/°C至0.0005%/°C的最大温度系数选择。
- 在商业级上,可根据特殊要求提供以6.2V为中心标称值的1%、2%、3%等严格的基准电压容差(不包括1N826和1N828)。
- 小巧的表面贴装占位面积。
- 典型低电容为100pF或更低。

