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10N50TF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@10V,5A | |
| 功率 | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@400V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.62nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 8.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 10A，500V，在VGS = 10V/5A时，RDS(ON)最大值 = 0.75Ω
- 低栅极电荷
- 低输入电容Ciss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 无卤