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HYG038N03LR1D
1个N沟道 耐压:30V 电流:78A
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- 描述
- 特性：30V/78A，RDS(ON) = 3.5 mΩ (typ.) @VGS = 10V，RDS(ON) = 4.9 mΩ (typ.) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件。应用：负载开关。 锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG038N03LR1D
- 商品编号
- C3721022
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.466nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 213pF |
商品概述
ME4425是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形的表面贴装封装。
商品特性
- 30V/78A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 4.9 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
-负载开关-锂电池保护板
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