BQ2202SN-N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 电源电压 | 5.5V | |
| 最大充电电流 | 6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电池类型 | 锂离子/聚合物 | |
| 电池节数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
CMOS bq2202 SRAM非易失性控制器（带复位功能）具备将一组或两组标准CMOS SRAM转换为非易失性读写存储器所需的全部功能。 精密比较器会监测5V VCC输入是否超出容差范围。当检测到超出容差时，两个经过处理的芯片使能输出将被强制置为无效，以对两组SRAM进行写保护。 当VCC电压下降时，外部SRAM的供电会从VCC电源切换至电池备用电源。在后续上电时，VOUT电源会自动从备用电源切换回VCC电源。在电源有效状态建立之前，外部SRAM将处于写保护状态。复位输出可为系统提供掉电复位和上电复位功能。 在电源有效运行期间，输入解码器可选择两组SRAM中的一组。
商品特性
- 用于SRAM非易失性控制的电源监测与切换功能
- 写保护控制
- 输入解码器可控制多达两组SRAM
- 3伏原电池输入
- 3伏可充电电池输入/输出
- 用于系统上电复位的复位输出
- 芯片使能传播延迟小于10ns
- 可在±10%电源电压下工作