LS313 SOIC 8L
LS313 SOIC 8L
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LS313 SOIC 8L
- 商品编号
- C3717160
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 40mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200pA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品概述
LS310/11/12/13 单片双匹配 NPN 晶体管具备出色的匹配特性和低电压噪声（详情见图 14）。 最大 2pF 的低 Cobo 输出电容进一步提升了频率特性，降低了输出端的信号失真。低噪声性能、低失调电压和高带宽，使该产品非常适合用于差分输入级和前置放大器应用。 紧密的电流增益匹配、高电流增益和高击穿电压，使 LS312 和 LS313 成为信号放大、精确电流偏置和镜像电路及设计的理想选择。 由于 LS310/11/12/13 具有较高的跨导，且电流（Ib 和 Ic）具有正温度系数，其输出级几乎无需误差校正。 由于具有高击穿电压规格，该产品适用于最高 60V 的高压应用。除了超小外形的 SOT - 23 6L 封装外，这些产品还提供 TO - 78 6L、TO - 71 6L、PDIP 8L 和 SOIC 8L 封装。
商品特性
- 低电压噪声，在 f = 1kHz、IC = 100μA 时典型值为 1.8 nV / √Hz
- 低 Vbe 匹配，最大值 0.5mV，典型值 0.2mV（LS312）
- 低 Vbe 温度漂移，典型值 0.5 μV / °C（LS312）
- 高电流增益，最小值 400（LS313）
- 高 VCBO 击穿电压，最小值 - 60V（LS312）
- 高 VCEO 击穿电压，最小值 - 60V（LS312）
- 高 VCCO 击穿电压，最小值 +/- 60V
- 双 PNP 对应型号：LS350/1/2
应用领域
-输入差分和前置放大器级-多谐振荡器电路-音乐合成器-电流源-分立运算和仪表放大器-时钟网络-压控振荡器-分频