- 引脚图
- 焊盘图
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BLM18HG601SZ1D
BLM18HG601SZ1D
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- 品牌名称
- muRata(村田)
- 商品型号
- BLM18HG601SZ1D
- 商品编号
- C3716519
- 商品封装
- 0603
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 磁珠 | |
| 阻抗@频率 | 600Ω@100MHz | |
| 误差 | ±25% | |
| 直流电阻(DCR) | 1Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电流 | 200mA | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品特性
- BLM18H/BLM18E系列采用改进的内部电极结构，可将杂散电容降至最低，并增加有效频率范围。
- BLM18H系列在1GHz时实现高阻抗，适用于500MHz至GHz范围内的噪声抑制。HG/HD型在1GHz时的阻抗值约为AB型的三倍，不过在100MHz及以下时，HG/HD型的阻抗特性与AB型相似。
- HG型在宽频率范围（几MHz至几GHz）内的噪声抑制效果显著。用于高速信号线的HB/HD型在截止频率后提供更陡峭的滚降。用于数字接口的HK型和用于光学拾取模块的HE型在抑制振铃方面效果显著，因为其电阻在低频时尤其增大。
- 磁屏蔽结构可将串扰降至最低。
- BLM18E系列具有低直流电阻和大额定电流，适用于驱动电路的噪声抑制。
- 具有出色的直流特性。
- 薄型（t = 0.5mm）适用于如DSC、手机等小型薄型设备。
- NFZ5BBW520LN10L
- BLM15BB221SZ1D
- BLM15BB050SZ1D
- NFZ32BW6R8HZ11L
- NFZ32BW621HZ10L
- NFZ32BW7R4HZ10L
- BLM15BA470SZ1D
- BLM21BB471SZ1D
- NFZ32BW520HZ11L
- BLM15BD471SZ1D
- BLM21BD121SZ1D
- BLM03AG700SZ1D
- BLM03EB250SZ1D
- BLE18PS080BH1D
- WLBD1608HCU221TH
- MMZ1608SHE601ATD25
- 2506031007H0
- MFBM1V2012-300-R
- 28C0236-0BS-10
- HZ0603A152R-10
- WLBD1005K2U121TP