商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 磁珠 | |
| 阻抗@频率 | 240Ω@100MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电阻(DCR) | 800mΩ | |
| 通道数 | 1 |
商品概述
KEMET Z - SMS信号线多层铁氧体片式磁珠非常适合用于数字产品时钟线和通用信号线的高频噪声抑制。这种铁氧体磁珠尺寸小,适用于对尺寸和高度空间要求严格的移动设备。其内部的银印刷层结构形成了一个封闭磁路,可作为磁屏蔽,以减少发热和串扰。使用不同类型的材料能够进一步使片式磁珠的功能和特性专业化:
- “A”材料用于宽带噪声抑制。低R - XL频率交叉点和大电阻部分起到阻尼作用,抑制不必要的共振并保持信号完整性。
- “B”材料用于20 MHz以上的噪声抑制,具有更高的衰减。一般用于视频信号线特别有效。
- “C”材料用于100 MHz以上的高频噪声抑制。用于高速信号线,对时钟线有效。
- “D”材料用于200 MHz左右的噪声抑制,对电磁兼容性(EMC)法规要求有效。
- “E”材料由于与“A”材料相比具有更低的R - XL频率交叉点,可从低频范围强烈抑制不必要的共振。
- “F”材料用于大规模集成电路(LSI)电源周围的噪声抑制。这是“A”材料的低直流电阻版本。
商品特性
- 微型且低轮廓
- 无需接地,便于灵活的电路设计
- 防止移动系统中电路之间的干扰
- 阻抗值范围广
- 阻抗值从10 - 2500 Ω
- 额定电流范围从0.1 – 1.5 A
- 工作温度范围从 - 55°C 到 +125°C
应用领域
- 个人电脑、平板电脑、外设
- 接口、线束连接器
- 移动和便携式设备
- BLM03BD241SZ1D
- HF30ACB453215-T
- 2512065007Y0
- 2508052027Y1
- ILBB0805ER152V
- MFBW1V3216-800-R
- BK20104S431-T
- 2508053017Y3
- NFZ32BW650HZ11L
- BLM18BD421SZ1D
- MFBM1V3216-000-R
- BLM03AG100SZ1D
- BLM18BA470SZ1D
- MAF0603FAL470BT000
- MDF2016BSS120CTD25
- BBSY00100505100Y00
- BLM18DN601SH1D
- WLBD1005HCU121TH
- BLM15BB750SZ1D
- BLM15BX182SZ1D
- 2518121217Y3
