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SMDA24C/TR7实物图
  • SMDA24C/TR7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SMDA24C/TR7

双向 24V 5A@8/20us

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描述
该瞬态电压抑制器 (TVS) 阵列采用 SO-8 封装,可为 4 条单向或双向数据或接口线路提供保护。其设计用于需要在电路板级保护免受静电放电 (ESD)(符合 IEC 61000-4-2 标准)、电快速瞬变 (EFT)(符合 IEC 61000-4-4 标准)和二次雷击影响引起的电压瞬变的应用。这些 TVS 阵列在 8/20 μs 脉冲下的峰值脉冲功率额定值为 300 瓦(SMDA)和 500 瓦(SMDB)。它们适用于保护由 TTL、CMOS、DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC 和 3.3 伏至 24 伏的低压接口组成的敏感电路。
商品型号
SMDA24C/TR7
商品编号
C3714634
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压43V;55V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)300W
属性参数值
击穿电压26.7V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容45pF

商品概述

这款瞬态电压抑制器(TVS)阵列采用SO - 8封装,可为4条单向或双向数据或接口线路提供保护。它专为需要在电路板层面抵御电压瞬变的应用而设计,这些电压瞬变包括IEC 61000 - 4 - 2标准定义的静电放电(ESD)、IEC 61000 - 4 - 4标准规定的电快速瞬变(EFT)以及二次雷击影响。对于8/20 μsec脉冲,这些TVS阵列的峰值脉冲功率额定值分别为300瓦(SMDA)和500瓦(SMDB)。它们适用于保护由TTL、CMOS、DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC和3.3伏至24伏低压接口组成的敏感电路。

商品特性

  • 保护3.0/3.3伏至24伏的组件
  • 保护4条单向或双向线路
  • 提供电气隔离保护
  • 添加“e3”后缀可获得符合RoHS标准的器件

数据手册PDF