MUPT8

Powermite MUPT系列瞬态电压抑制器采用氧化物钝化芯片和高温焊料连接，具备高浪涌能力，且在反复浪涌条件下电气性能几乎无衰减。提供单向和双向两种配置。除尺寸优势外，Powermite封装的底部（阳极）为全金属结构，可避免组装时焊剂残留，独特的锁定片设计还可作为集成式散热器。其创新设计使该器件完全适用于自动插入设备。

• Powermite封装，耐受电压5至48 V。
• 提供单向和双向极性：
  • 阳极至封装底部（MUPT5e3至MUPT48e3）
  • 双向（MUPTB5e3至MUPTB48e3）
• 单向钳位时间小于100皮秒，双向钳位时间小于5纳秒。
• 所有器件均经过100%浪涌电流测试。
• 根据IPC/JEDEC J - STD - 020B标准，湿度等级为1级，无需干燥包装。
• 提供符合RoHS标准和非RoHS标准的版本。
• 可参照MIL - PRF - 19500进行高可靠性筛选。
• 按照AEC - Q101要求进行测试。

• 保护IC、CMOS、双极型、BiCMOS、ECL、DTL、TL等敏感元件。
• 防止开关和感应射频瞬变。
• 分别符合IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准，用于ESD和EFT保护。
• 根据IEC61000 - 4 - 5标准，在源阻抗为42欧姆时提供二级防雷保护：
  • 1类：MUPT5 / MUPTB8至17
  • 2类：MUPT5 / MUPTB5至12