- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TVS312SME3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 21V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7.1A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 13.8V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | TVS |
商品概述
美高森美（Microsemi）的瞬态电压抑制器（TVS）系列采用氧化物钝化齐纳型芯片，芯片两侧均为全表面冶金键合，可实现高浪涌能力，并在反复浪涌条件下实现极小的电气性能下降。该系列在保护微处理器、MOS、CMOS、TTL、ECL、I²L和线性集成电路免受杂散瞬态干扰方面特别有用。
商品特性
- 1毫秒脉冲功率能力高达500瓦
- 皮秒级钳位时间
- 可直接应用于所有流行的微处理器和集成电路系列
- 采用冶金键合组装系统，确保长期可靠性
- 微型玻璃封装，气密密封
应用领域
- 微处理器保护
- MOS集成电路保护
- CMOS集成电路保护
- TTL集成电路保护
- 线性集成电路保护