- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
1N6507
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | - | |
| 钳位电压 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | - | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压(VBR) | - |
商品概述
这些采用共阳极配置的低电容二极管阵列，通过平面工艺制造，包含多个独立隔离的结，并封装在10引脚封装内，用于引导ESD、EFT或浪涌电流至地线，从而保护多达八个I/O端口。此电路应用还可通过具有共阴极配置的1N6506进行补充。可在正电源线与地线之间添加外部TVS二极管，以防止电源轨上的过压。它们也可用于快速开关磁芯驱动器应用，包括计算机及外围设备，如磁芯存储器、薄膜存储器、镀线存储器等，以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的诸多优势，例如高密度封装和更高的可靠性，这得益于减少了拾放操作次数、更小的占板面积、更轻的重量，并消除了在PCB安装中可能不太友好的各种分立封装。
商品特性
- 气密陶瓷封装
- 隔离二极管，可消除串扰电压
- 高击穿电压：在10 μA条件下，VBR > 60V
- 低漏电流：在40V条件下，IR < 100nA
- 低电容：C < 8.0 pF
- 提供符合相关标准的筛选选项
应用领域
- 高频数据线
- RS-232与RS-422接口网络
- 以太网：10 Base T
- 计算机I/O端口
- 局域网
- 开关磁芯驱动器