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- 焊盘图
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GAN111-650WSBQ
650V, 97mOhm氮化镓(GaN)场效应晶体管，采用TO-247封装
- 描述
- 是一款采用TO-247封装的650 V、97 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管。它是一款常开型器件，结合了最新的高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN111-650WSBQ
- 商品编号
- C40759637
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 336pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 49pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ |
商品概述
GAN111-650WSB 是一款采用 TO-247 封装的 650 V、97 mΩ 氮化镓场效应晶体管。该器件为常关型，结合了最新的高压氮化镓高电子迁移率晶体管 H2 技术与低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管技术，提供了卓越的可靠性和性能。
商品特性
- 超低反向恢复电荷
- 简单的栅极驱动（0 V至+10 V或+12 V）
- 坚固的栅极氧化物（±20 V 能力）
- 高栅极阈值电压（+4 V），具有极佳的栅极反弹抗扰度
- 反向导通模式下极低的源漏电压
- 瞬态过压能力
应用领域
- 工业和数据通信电源的硬开关与软开关变换器
- 交流/直流无桥图腾柱功率因数校正
- 直流/直流高频谐振变换器
- 数据通信和电信（交流/直流和直流/直流）变换器
- 太阳能光伏逆变器
- 伺服电机驱动器
- 电视电源和发光二极管驱动器