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GAN111-650WSBQ
650V, 97mOhm氮化镓(GaN)场效应晶体管，采用TO-247封装
- 描述
- 是一款采用TO-247封装的650 V、97 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管。它是一款常开型器件，结合了最新的高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN111-650WSBQ
- 商品编号
- C40759637
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |