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ADR421ARM

超精密、低噪声、2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET 电压基准

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描述: ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADR421ARM
商品编号: C3679985
商品封装: MSOP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.105克(g)

商品参数

商品概述

ADR42x 是一系列超精密的第二代额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，在 SOIC 和 MSOP 封装中具备低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术将电压随温度变化的非线性降至最低。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞。与埋入式齐纳基准源相比，它还能在更低的功耗和更低的电源裕量下工作。 ADR42x 出色的噪声性能以及稳定、精确的特性使其非常适合用于光网络和医疗设备等精密转换应用。ADR42x 的微调端子还可用于在 ±0.5% 的范围内调节输出电压，而不会影响其他性能。ADR42x 系列电压基准源提供两种电气等级，并在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内进行了规格定义。器件采用 8 引脚 SOIC 或尺寸小 30% 的 8 引脚 MSOP 封装。

商品特性

低噪声（0.1 Hz 至 ~ ADR420：1.75 μV 峰 - 峰值；ADR421：1.75 μV 峰 - 峰值；ADR423：2.0 μV 峰 - 峰值；ADR425：3.4 μV 峰 - 峰值）
低温漂系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000 小时
负载调整率：70 ppm/mA
线性调整率：35 ppm/V
低滞后：典型值 40 ppm
宽工作范围：ADR420：4 V 至 18 V；ADR421：4.5 V 至 18 V；ADR423：5 V 至 18 V；ADR425：7 V 至 18 V
静态电流：最大 0.5 mA
高输出电流：10 mA
宽温度范围：-40°C 至 +125°C

应用领域

精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光网络控制电路

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	属性	参数值
	商品目录	电压基准芯片
	输出类型	固定
	工作电压	4.5V~18V
	输出电压	2.5V
	输出电流	10mA

	属性	参数值
	精度	±0.12%
	温度系数	10ppm/℃
	静态电流(Iq)	500uA
	噪声(0.1Hz-10Hz)	1.75uVp-p
	工作温度	-40℃~+125℃