IH5108是一款采用介质隔离技术的CMOS单片模拟多路复用器，设计用于直接替代Hl548及类似器件，在标准性能基础上增加了故障保护功能。独特的串联MOSFET开关确保当输入电压超出电源轨±25V时，即使电源电压为零，关断通道仍能保持关断状态。此外，导通通道的输出电压将被限制在比电源轨低约1.5V的水平，从而为后续电路（如运算放大器、D/A转换器等）提供保护。
一个3位二进制地址码与使能（ENable）输入配合，可选择任意一个通道，也可全部不选。这4个输入均与TTL兼容，便于进行逻辑接口设计；使能输入还有助于多路复用器的扩展和级联。
与所有哈里斯（Harris）的多路复用器一样，IH5108包含一组构成通道的CMOS开关，以及用于控制通道导通的驱动和译码电路。此外，IH5108还内置了一个稳压器，可提供与TTL完全兼容的使能输入，其工作方式与地址输入相同。这消除了许多多路复用器使能输入在实现正确逻辑摆幅时所需的特殊条件。使能线和地址线相同的电路条件还有助于确保先断后通（break-before-make）切换特性在更大型的多路复用器系统中得以延续。
另一个更重要的区别在于开关通道。以往的器件采用并行的n沟道和p沟道MOSFET开关。虽然这种方案能提供相当不错的导通电阻特性，并允许对轨到轨输入信号进行切换，但也存在一些缺点。如果输入信号超出电源轨，开关晶体管的源极和漏极会与衬底导通，即使精心使用二极管，在输入超范围的情况下也无法避免通道到输出以及通道到通道之间的耦合。IH5108采用了一种新颖的p沟道和n沟道开关串联结构，并结合介质隔离工艺，从而消除了这些问题。
在正常模拟信号范围内，开关导通电阻的固有变化几乎能像传统并行配置那样得到平衡。但当模拟信号接近任一电源轨时，即使是导通通道，p沟道或n沟道也会变成源极跟随器，从而断开通道。因此，即使在多路复用器无电源电压的情况下，也能为任何输入或输出通道提供过压保护，这种保护作用可一直持续到相应开关的击穿电压。
在某些情况下，如果存在逻辑输入但多路复用器无电源供电，电路会将逻辑输入作为一种虚拟电源；这可能导致输出达到该逻辑电平。为防止这种情况发生，只需确保在多路复用器电源电压缺失时，使能引脚处于低电平即可。
IH5108设计用于处理±10V范围内的信号，典型导通电阻rDS(on)为900Ω，它能成功处理高达±12V的信号，但此时rDS(on)会增加到约1.8kΩ。超过±12V时，器件接近开路状态，因此±12V约为实际使用的极限。
IH5108在±5V至±15V的电源电压下能正常工作，但导通电阻rDS(on)会随电源电压的降低而增大。另一方面，泄漏电流会随电源电压的降低而减小。
