HI3-509-5

Hi-506L/507L的开关单元与早期哈里斯（Harris）设计（HI-506、HI506A）的结构不同。新开关由一个N沟道、一个P沟道和一个N沟道MOSFET串联组成，而非采用N沟道和P沟道器件并联的传输门配置。串联PN开关在断电时具有更高的关断隔离度和更好的故障性能。由于在过压情况下三个MOSFET都不会关断，因此具有固有的通道过压保护功能；这种关断过程在电源电压远低于额定值时才会开始。此外，输入电压（VIN）范围小于电源电压范围。每个通道的电气性能在±10V范围内有保证，可用范围可扩展到±11V以上。 当写信号（WR）变为高电平时，地址输入A0、A1、A2、A3和使能信号（ENABLE）被锁存到内部缓冲器中。每个输出经过电平转换后进入解码部分，以激活相应的通道。通过将复位信号（RS）置为低电平，可以将器件复位（所有通道关闭）。通常，RS连接到系统复位线，以确保上电后所有通道均处于关闭状态。复位功能优先于其他所有功能，就像写信号（WR）优先于地址输入一样（当WR为高电平时，地址输入A0 - A3和使能信号EN被忽略）。当WR为低电平且RS为高电平时，开关会立即响应通道地址的变化；即锁存器处于“透明”状态。