IH5009 系列模拟开关专为满足工业应用中对易于使用、低成本开关的需求而设计。尽管低成本是主要设计目标，但并未牺牲性能和通用性。
每个封装最多包含四个模拟选通通道，旨在消除对外部驱动器的需求。奇数编号的器件设计为可直接由 TTL 集电极开路逻辑（15 伏）驱动，而偶数编号的器件则可直接由低电平 TTL 逻辑（5 伏）驱动。每个通道模拟一个单刀双掷（SPDT）开关。通过不连接二极管阴极可实现单刀单掷（SPST）开关功能；若要实现单刀双掷功能，应将阴极接地（0 伏）。这些器件适用于高性能多路复用和换向应用。逻辑“0”使通道导通，逻辑“1”使通道关断。
在结型场效应管（JFET）型模拟开关的漏极处看到的信号可任意分为两类：小于 ±200mV 的信号和大于 ±200mV 的信号。前一类包括所有在运算放大器虚地点进行开关操作的电路，IH5009 系列电路主要针对这些应用。
通过将开关点的模拟信号限制在 ±200mV 以内，无需外部驱动器，也无需额外的电源。
器件有共漏极和非共漏极两种类型。
具有共漏极特性的器件除通道开关外还有另一个场效应管。该场效应管的栅极和源极相连，使得 VGS = 0，旨在补偿开关的导通电阻。当与反馈电阻串联时，增益由下式给出：增益 = (10kΩ + rDS(ON)(补偿器))/(10kΩ + rDS(开关))。
显然，由开关引起的增益误差取决于场效应管之间的匹配程度，而非场效应管导通电阻的绝对值。对于标准产品，给定封装内的所有场效应管保证在 50Ω 以内匹配，但也可选择匹配度低至 5Ω 的产品。由于 rDS(On) 的绝对值仅保证小于 100Ω 或 150Ω，因此使用补偿场效应管可显著提高增益精度。
