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IXXH75N60B3D1

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属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)160A
功率(Pd)750W
正向压降(Vf@If)2.7V@30A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)1.6V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)5.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)-
输入电容(Cies@Vce)3.29nF@25V
开启延迟时间(Td(on))35ns
关断延迟时间(Td(off))118ns
导通损耗(Eon)1.7mJ
关断损耗(Eoff)1.5mJ
反向恢复时间(Trr)25ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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