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2N6284G
NPN 100V 20A
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- 描述
- 该 20A 100 V PNP 达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N6284G
- 商品编号
- C424187
- 商品封装
- TO-204(TO-3)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 12.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V |
商品概述
这些封装专为通用放大器和低频开关应用而设计。
商品特性
- 集电极电流（IC）为 10 Adc 时具有高直流电流增益
- h_FE = 2400（典型值） - 2N6284
- h_FE = 4000（典型值） - 2N6287
- 集电极 - 发射极维持电压
- V_CEO(sus) = 100 Vdc（最小值）
- 采用内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
- 提供无铅封装
应用领域
-通用放大器-低频开关应用
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