商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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原价
折合1管
1+￥9.5665￥10.07
10+￥8.094￥8.52
30+￥7.1725￥7.55￥226.5
90+￥6.232￥6.56￥196.8
510+￥5.8045￥6.11￥183.3
990+￥5.624￥5.92￥177.6
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