商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@20V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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10+￥1.805￥1.9
50+￥1.596￥1.68￥84
100+￥1.33￥1.4￥70
500+￥1.216￥1.28￥64
1000+￥1.14￥1.2￥60
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