商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.436715￥0.4597
50+￥0.42655￥0.449
150+￥0.419805￥0.4419
500+￥0.41306￥0.4348￥1304.4
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
200
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
精选推荐
![WZ-100[800G]0.8mm](https://alimg.szlcsc.com/upload/public/product/breviary/20230204/F5C23B64924F8AED3185B6C36DF2894A.jpg)
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起