商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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1+￥16.378￥17.24
10+￥13.8605￥14.59
30+￥12.2835￥12.93￥387.9
90+￥10.6685￥11.23￥336.9
510+￥9.937￥10.46￥313.8
990+￥9.6235￥10.13￥303.9
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