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IXTH94N20X4-VB
场效应管 （MOSFET)
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,200V；110A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXTH94N20X4-VB
- 商品编号
- C39831436
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.8nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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