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VBGP1201N
1个N沟道 耐压:200V 电流:110A
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,200V；110A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGP1201N
- 商品编号
- C39831419
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
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