MUN5133DW1T1
MUN5133DW1T1
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MUN5133DW1T1
- 商品编号
- C3588610
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。在MUN5111DW1T1系列中，两个BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用来说是理想的选择。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 提供8 mm、7英寸/3000个的卷带包装