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UCC21550CDWKR

增强型隔离式双通道栅极驱动器

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描述
是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21550CDWKR
商品编号
C39721114
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.304064克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型MOSFET、IGBT、SiC、GaN
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压13.5V~25V
功能特性死区时间控制

商品概述

UCC21550 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。UCC21550 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些特性,UCC21550 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

商品特性

  • 可配置为双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 结温范围:–40℃ 至 +150℃
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • VDD 输出驱动电源最高可达 25V,提供 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 典型传播延迟 33ns
  • 最大脉宽失真 5ns
  • 最大 VDD 上电延迟 10µs
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

应用领域

  • 车载电池充电器
  • 高压直流/直流转换器
  • 汽车 HVAC
  • 车身电子装置