NCP51105ASNT1G

单2.6A、带过流保护的低端栅极驱动器

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描述: 是一款高电流低端栅极驱动器，用于驱动功率MOSFET和IGBT。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。具有OCP引脚，可通过检测开关电流检测电阻两端的负电压来提供过流保护；还有EN引脚，能够向外部控制器（如MCU）报告故障状态。EN引脚在正常工作时必须上拉至高于阈值的电压，在所有故障条件下将被下拉以禁用输出。内部VDD电路提供欠压锁定功能，将输出保持为低电平，直到电源电压恢复到工作范围内，故障恢复时间可通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数进行编程。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP51105ASNT1G
商品编号: C39611918
商品封装: TSOP-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.038克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	5ns
	传播延迟 tpLH	25ns
	传播延迟 tpHL	25ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.9V
	输入低电平(VIL)	1.2V
	静态电流(Iq)	700uA
	功能特性	使能关断；过流保护

商品概述

NCP51105是一款设计用于驱动功率MOSFET和IGBT的高电流低侧栅极驱动器。其逻辑输入兼容CMOS和TTL输出。该器件具备OCP引脚，可通过检测开关电流采样电阻两端的负电压提供过流保护，以及EN引脚，能够向外部控制器（如MCU）报告故障状态。EN引脚必须上拉至高于阈值的电压以实现正常工作，而在所有故障条件下，其将被下拉以禁用输出。内部VDD电路提供欠压锁定功能，在电源电压恢复至工作范围之前保持输出为低电平，且故障恢复时间可通过连接至EN引脚的电阻和电容所设置的时间常数进行编程。

商品特性

宽工作电压范围：最高25 V
2.6 A峰值灌电流/拉电流能力
小于50 ns的传播延迟时间
采用负电压检测的过流保护
输入逻辑兼容宽电压范围的TTL和CMOS
可编程故障清除时间
针对MOSFET和IGBT的欠压锁定保护
本器件为无铅、无卤化物且符合RoHS标准

应用领域

开关电源
高效MOSFET开关
同步整流电路
DC-DC转换器
电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	2.6A
	拉电流(IOH)	2.6A
	工作电压	12.7V~25V
	上升时间(tr)	5ns