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4N46-300E
高增益达林顿光电耦合器
- 描述
- 4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。
- 品牌名称
- Broadcom(博通)
- 商品型号
- 4N46-300E
- 商品编号
- C39556289
- 商品封装
- DIP-6-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.8184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| CMTI(kV/us) | 0.5V/ns | |
| 传输速率 | - | |
| CTR-电流传输比 | 350% | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入阈值电流(FH) | 10mA | |
| 输出电流 | 60mA | |
| 输出电压 | 20V | |
| 正向压降(Vf) | 1.4V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 正向电流(If) | 20mA |
商品概述
4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。 由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。
商品特性
- 在极低输入电流下具有高电流传输比，这使得电路设计能够为光耦合变化的影响留出足够的余量。
- 4N46在仅0.5 mA的输入电流下，最小电流传输比（CTR）为350%，非常适合用于低输入电流应用，如MOS、CMOS和低功耗逻辑接口。输出晶体管20 V的最小击穿电压以及18 V时保证的最大输出泄漏电流（I_OH），确保了其与高压CMOS逻辑系统的兼容性。
- 4N45在1.0 mA输入电流下的最小CTR为250%，最小击穿电压额定值为7 V。
- 可根据要求选择低至250 μA的更低输入电流。
- 高电流传输比 - 典型值为1500%
- 低输入电流要求 - 0.5 mA
- 保证在0至70℃温度范围内的性能
- 内部基极 - 发射极电阻可将输出泄漏电流降至最低
- 增益带宽调整引脚
- 安全认证：UL认证 - 3750 V rms，持续1分钟；CSA认证；符合IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2标准
应用领域
- 电话振铃检测器
- 数字逻辑接地隔离
- 低输入电流线路接收器
- 线路电压状态指示器 - 低输入功耗
- 逻辑与读取继电器接口
- 电平转换
- 不同逻辑系列之间的接口