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WMO5N50D1B
500V 5A 1.35Ω N 沟道功率 MOSFET
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- 描述
- 旨在大幅降低导通电阻和超低栅极电荷，适用于需要高功率密度和高效率的应用，并且非常耐用，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO5N50D1B
- 商品编号
- C39482354
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
WMOSTTM D1 是第一代 VDMOS 产品系列,显著降低了导通电阻,且栅极电荷极低,适用于需要高功率密度和高效率的应用。该产品性能稳定,符合 RoHS 标准。
商品特性
- 典型值:VGS = 10 V 时,RDS(on) = 1.35 Ω
- 100% 雪崩测试
- 无铅、无卤
应用领域
- 开关电源(SMPS)
- 充电器
- DC-DC 转换器