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LP3407LT3G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- P沟道 -30V -4.1A
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3407LT3G
- 商品编号
- C417552
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，漏极电流（ID） = -4.1A
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 70mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 100mΩ
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求且无卤素。
- 产品型号前缀为“S”适用于汽车及其他需要独特生产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。