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TPN8R408QM,L1Q(M
N沟道 80V 32A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 8.4 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 29.9 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IKSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN8R408QM,L1Q(M
- 商品编号
- C39329806
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 8.4 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 29.9 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 80V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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