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WMK119N12LG4
120V N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- WMK119N12LG4采用了第四代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别设计，可在尽量降低导通电阻的同时保持卓越的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMK119N12LG4
- 商品编号
- C39307759
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.759克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.854nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
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