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WMO2N100D1实物图
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WMO2N100D1

WMO2N100D1

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商品型号
WMO2N100D1
商品编号
C39117696
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))6.3Ω@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC
属性参数值
输入电容(Ciss)698pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)69pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

WMOS D1是第一代垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)产品系列,显著降低了导通电阻,具有超低的栅极电荷,适用于需要高功率密度和高效率的应用。它性能稳定且符合RoHS标准。

商品特性

  • 典型导通电阻RDS(on)=6.3Ω(栅源电压VGS=10V时)
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关电源(SMPS)
  • 充电器
  • 直流-直流转换器(DC-DC)

数据手册PDF