- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTH4L095N065SC1
碳化硅功率MOSFET，单N沟道，TO247-4L封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L095N065SC1
- 商品编号
- C39102610
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 129W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
商品特性
- 典型 RDS(on) = 70 mΩ @ VGS = 18 V；典型 RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 15 V
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 50 ~ nC)
- 低输出电容 (Coss = 89 pF)
- 100% 经过雪崩测试
- TJ = 175 ℃
- 本器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 储能系统