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WMB020N03LG4
N沟道 30V 125A
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- 描述
- 采用第四代功率沟槽MOSFET技术，专门设计用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件适用于高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB020N03LG4
- 商品编号
- C38961895
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.09nF |
商品概述
WMB020N03LG4采用了威兆的第四代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 125 A
- 当VGS = 10V时，RDS(on) < 2 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(on) < 2.7 mΩ
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 100%保证EAS
应用领域
- 电源管理开关-DC/DC转换器