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S-LMUN5235T1G实物图
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S-LMUN5235T1G

偏置电阻晶体管

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描述
特性:简化电路设计。 减少电路板空间和元件数量。 SC-70/SOT-323 封装可采用波峰焊或回流焊。 改进的鸥翼式引脚在焊接过程中吸收热应力,消除芯片损坏的可能性。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
商品型号
S-LMUN5235T1G
商品编号
C38924062
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0278克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)202mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)80
属性参数值
最小输入电压(VI(on))1.1V
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输入电阻2.2kΩ
电阻比率0.056
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间和元件数量
  • SC-70/SOT-323 封装可采用波峰焊或回流焊。
  • 改良的鸥翼式引脚可在焊接过程中吸收热应力,消除芯片受损的可能性。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • 汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用采用 S 前缀;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

数据手册PDF