K4T51163QN-BCE7

512Mb N型裸片DDR2 SDRAM，采用60及84引脚FBGA封装，无铅无卤

描述

特性：JEDEC标准，VDD = 1.8V ± 0.1V电源。 VDDD = 1.8V ± 0.1V。 667Mb/sec/pin对应333MHz fCK，800Mb/sec/pin对应400MHz fCK，1066Mb/sec/pin对应533MHz fCK。 4个存储体

品牌名称

SAMSUNG(三星半导体)

商品型号

K4T51163QN-BCE7

商品编号

C38888330

商品封装

FBGA-84​

包装方式

编带

商品毛重

0.404714克(g)