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K4T51163QN-BCE7
512Mb N型裸片DDR2 SDRAM，采用60及84引脚FBGA封装，无铅无卤
- 描述
- 特性：JEDEC标准，VDD = 1.8V ± 0.1V电源。 VDDD = 1.8V ± 0.1V。 667Mb/sec/pin对应333MHz fCK，800Mb/sec/pin对应400MHz fCK，1066Mb/sec/pin对应533MHz fCK。 4个存储体
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K4T51163QN-BCE7
- 商品编号
- C38888330
- 商品封装
- FBGA-84
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 533MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 41mA | |
| 刷新电流 | 8mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- JEDEC标准，电源电压VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V
- 667Mb/秒/引脚时CK时钟频率为333MHz，800Mb/秒/引脚时CK时钟频率为400MHz，1066Mb/秒/引脚时CK时钟频率为533MHz
- 4个存储体
- 后置CAS
- 可编程CAS延迟：3、4、5、6、7
- 可编程附加延迟：0、1、2、3、4、5
- 写延迟(WL) = 读延迟(RL) - 1
- 突发长度：4、8（交错/半字节顺序）
- 可编程顺序/交错突发模式
- 双向差分数据选通（单端数据选通为可选功能）
- 片外驱动器(OCD)阻抗调整
- 片内终结
- 特殊功能支持
- 50欧姆片内终结
- 高温自刷新速率启用
- 商业温度下平均刷新周期：外壳温度低于85°C时为7.8微秒，85°C < 外壳温度 ≤ 95°C时为3.9微秒
- 支持工业温度（-40 ~ 90°C）
- -40°C < 外壳温度 < 85°C时tREFI为7.8微秒
- 85°C ≤ 外壳温度 ≤ 95°C时tREFI为3.9微秒
- 所有产品均为无铅、无卤且符合RoHS标准