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G30N20K
停产 1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N20K
- 商品编号
- C412298
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@100V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-沟槽功率MOSFET技术-低漏源导通电阻(RDS(ON))-低栅极电荷-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源