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2SD965ASQ-R
NPN 电流:5A 电压:30V
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- 描述
- 特性：低饱和电压。 大集电极功耗和电流
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- 2SD965ASQ-R
- 商品编号
- C411782
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 650@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@3A,0.1A | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN |