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NGTB40N120FL3WG
1.2kV 160A
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- 描述
- 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB40N120FL3WG
- 商品编号
- C411217
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.966克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 160A | |
| 耗散功率(Pd) | 454W | |
| 输出电容(Coes) | 140pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@0.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 212nC | |
| 输入电容(Cies) | 4.912nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 136ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF |
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