温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CS60N20A8R
N沟道功率MOSFET
- 描述
- CS60N20 A8R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS60N20A8R
- 商品编号
- C38402991
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.308nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术