温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIF12N60F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- TO - 247或表面贴装D³PAK封装
- 快速恢复体二极管
其他推荐
- XA7A50T-1CSG325Q
- NHA100V1000M18*40 LO
- NFA500V68M16*45 LO
- MS3111D
- ERL0710K000FKEK500
- RNC70H1101DMRE5
- RNR55K9093FSBSL
- RNC50H2940FSRE7
- CMF552K1500FKEA
- RCMT0221661BES03
- ERC55243K00BEEK500
- RNC55H12R4FSRE7
- ERL0733R000GKEK500
- RNC55J13R0FRRE8
- RNC60J3483BSB14
- RLR20C2702GRR36
- FMP200FTF52-16K5
- RNC55J6503BSB14
- RNC50J6810FSRE7
- RNC60J4990FSRE6
- RNR55H2372FRR36