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SIF10N60E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 40V/50A
- 栅源电压 (VGS) 为 10V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 典型值为 6 mΩ
- 栅源电压 (VGS) 为 4.5V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 典型值为 8.5 mΩ
- 具备出色的栅极电荷 (QG) 与导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数 FOM）
- 采用屏蔽栅沟槽 (SGT) 技术
- 开关速度快
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 开关应用系统
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