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SIF12N65C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
WCR1K2N65系列是新一代高压MOSFET产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。该器件适用于各种AC/DC开关模式电源转换，可实现更高的效率。
商品特性
- 700V@TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 1.05Ω
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
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