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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STL210N4F7

STL210N4F7

描述
N 沟道 40 V,1.3 m 典型值,120 A STripFET F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
商品型号
STL210N4F7
商品编号
C3446001
商品封装
DFN-8(4.9x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.204克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
输入电容(Ciss)3.6nF
反向传输电容(Crss)88pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.24nF

商品特性

  • 40V、140A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.4 mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 3.5 mΩ
  • 先进的分裂栅沟槽技术
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 产品无铅

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 电源管理

数据手册PDF