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STL210N4F7
STL210N4F7
- 描述
- N 沟道 40 V，1.3 m 典型值，120 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL210N4F7
- 商品编号
- C3446001
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.24nF |
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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