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WCR1K2N65TF
N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 描述
- WCR1K2N65系列是新一代高压MOSFET产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。该器件适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换，以实现更高的效率
- 品牌名称
- WEIDA(韦达)
- 商品型号
- WCR1K2N65TF
- 商品编号
- C3445969
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.22Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 272pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.3pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用流行的T-MAX或TO - 264封装
- 快速恢复体二极管
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