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IS66WVO8M8FBLL-166BLI
64Mb八进制RAM 1.8V/3.0V串行PSRAM存储器，采用200MHz DTR OP（八进制外设接口）协议
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS66WVO8M8FBLL-166BLI
- 商品编号
- C38387131
- 商品封装
- TFBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件复位功能；内置温度传感器；部分阵列刷新；刷新冲突指示；内置自动刷新逻辑；硬件复位功能；自动掉电功能；温度补偿刷新；内置电压传感器 |
商品概述
IS66/67WVO8M8FALL/BLL是集成内存设备，包含64Mb伪静态随机存取存储器，采用自刷新DRAM阵列，组织形式为8M字×8位。该设备支持八进制外设接口（通过8个SIO引脚传输地址、命令和数据）、极低信号数量（11个信号引脚；SCLK、CS#、DQSM和8个SIO）、隐藏刷新操作以及汽车级温度（A3，-40°C ~ +125°C）工作环境。由于采用DTR操作，最小传输数据大小以字（16位）为基础，而非字节（8位）为基础。
商品特性
- 行业标准串行接口：
- 八进制外设接口（OPI）协议
- 低信号数量：11个信号引脚（CS#、SCLK、DQSM、SIO0 ~ SIO7）
- 高性能：
- 高达400MB/s
- 双倍传输速率（DTR）操作
- 200MHz（400MB/s）
- 读操作期间源同步输出信号（DQSM）
- 写操作期间数据掩码（DQSM）
- 读写操作可配置延迟
- 支持可变延迟模式和固定延迟模式
- 支持环绕突发模式和连续突发模式
- 突发操作：
- 环绕突发和混合环绕突发
- 可配置突发长度：16B、32B、64B和128B
- 字序突发序列
- 连续突发操作：读操作持续到阵列地址结束（无环绕）；写操作即使在阵列地址结束后也继续（环绕到第一个地址）
- 复位操作：
- 硬件复位：RESET#引脚
- 软件复位：全局复位命令
- 带内复位
- 电源电压：
- 单1.7V ~ 1.95V电源供电
- 单2.7V ~ 3.6V电源供电
- 硬件特性：
- SCLK输入：串行时钟输入
- SIO0 - SIO7：串行数据输入或串行数据输出
- DQSM：
- 命令、地址事务期间作为刷新冲突指示输出
- 读数据事务期间作为读数据选通输出
- 写数据事务期间作为写数据掩码输入
- RESET#：硬件复位引脚
- 低功耗特性：
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 待机模式下部分刷新
- 支持深度掉电模式
- 具有数据保留功能的超低功耗混合睡眠模式
- 温度等级：
- 工业级：-40°C ~ +85°C
- 自动（A2）级：-40°C ~ +105°C
- 自动（A3）级：-40°C ~ +125°C
- 行业标准封装：
- B = 24球TFBGA 6x8mm 5x5阵列
- KGD（联系工厂）
- 绿色封装（符合RoHS标准、无卤）且符合TSCA标准