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UTT6NP10G-S08-R
UTT6NP10G-S08-R
- 描述
- N沟道+P沟道
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTT6NP10G-S08-R
- 商品编号
- C410485
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF；1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
UTC UTT6NP10集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，它采用UTC的先进技术，为客户提供最小导通电阻和高速开关性能，从而实现高密度安装。 UTC UTT6NP10广泛应用于高速开关、电机驱动领域。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2 A时，RDS(on) < 150 mΩ
- 在VGS = 5 V、ID = 1 A时，RDS(on) < 250 mΩ
- 在VGS = -10 V、ID = -2 A时，RDS(on) < 155 mΩ
- 在VGS = -5 V、ID = -1 A时，RDS(on) < 250 mΩ
- 高开关速度
应用领域
- 高速开关-电机驱动
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