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HY19P03B
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- P沟道增强型MOSFET。
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY19P03B
- 商品编号
- C410273
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.598克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.787nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 323pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 461pF |
商品概述
-30V/-90A RDS(ON) = 4.7mΩ（典型值），VGS = -10V RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值），VGS = -4.5V 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
商品特性
- -30V/-90A
- RDS(ON) = 4.7mΩ（典型值），VGS = -10V
- RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值），VGS = -4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关应用-DC/DC电源管理
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