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WM06N03ME
N沟道 60V 340mA
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM06N03ME
- 商品编号
- C38253653
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 610pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 韦尔小信号MOSFET
- VDS = 60 V,ID = 0.34 A
- 在VGS = 10V时,RDS(导通) < 2 Ω
- 在VGS = 4.5V时,RDS(导通) < 2.5 Ω
- 沟槽低压MOSFET技术
- 静电保护